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第70期国际名家讲堂

活动时间：2018年7月10-11日（周二、周三）

活动地点：南京江北新区产业技术研创园

（南京市浦口区团结路99号孵鹰大厦A座3楼）

临江路地铁1号口有免费接驳车送至研创园

主办单位

工业和信息化部人才交流中心（MIITEC）

比利时微电子研究中心（IMEC）

承办单位

江北新区IC智慧谷

协办单位

南京江北新区人力资源服务产业园

江苏省半导体行业协会

中国电科集团

支持媒体

IC咖啡、EETOP、半导体行业观察、

芯师爷、中国半导体论坛、芯榜、

半导体行业联盟、半导体圈、

芯世相、芯片超人、芯通社、芯论

Patrick Reynaert

帕特克·雷纳尔特

比利时鲁汶大学教授

研究方向：

● 毫米波与亚太赫兹 CMOS 电路设计和射频功率放大器

所在机构及协会任职：

● ESSCIRC和IEDM的技术程序委员会会员；

● IEEE高级会员，IEEE SSCS Benelux Chapter主席；

● 全球半导体联盟混合信号和射频工作组主席和和弗拉芒科学和创新议会创新政策的委员会的成员(VRWI)；

● 2011年-2012年，担任IEEE SSCS杂志的编辑，现为 IEEE TCAS-1 杂志的副主编。

所获奖项：

● 2011年TSMC-Europractice创新奖；

● 2011年ESSCIRC最佳论文奖和2014年贝尔实验室奖。

讲堂大纲：

第一天：

CMOS毫米波频段的有源和无源器件

1. 讨论晶体管和无源元件在毫米波频率下的基本特性；

2. 简要回顾两端口网络,集中讨论与高频工作、增益和稳定性相关的MOS晶体管版图优化；

3. 实例探讨CMOS工艺下的RLC，变压器，巴伦，传输线和慢波传输线等无源器件的实现；

4. 重点实例讨论变压器匹配的宽带特性：频率从28GHz直至160GHz，工艺包括40nm和28nm；

5. 比较CMOS和SiGe设计的区别。

CMOS毫米波低噪声放大器（LNAs）、压控振荡器（VCOs）和分频器（dividers）

1. 毫米波压控振荡器和分频器在任何毫米波锁相环（PLL）设计中都起到关键作用，因为相位噪声限制了误差矢量幅度和带外噪声；

2. 讨论多种工作在60GHz和80GHz频率的设计案例，重点集中在获得更高的调谐范围和I/Q正交精度；

3. 讨论如何在毫米波频段实现宽带LNA，并展示多个工作在60GHz和80GHz频率，应用40nm和28nm CMOS工艺的设计案例；

4. 讨论一个完整的28nm CMOS工艺中射频毫米波接收机。

CMOS聚合物微波光纤和亚太赫兹电路

1. 介绍毫米波系统的最新进展，包括一种将毫米波收发机与超薄聚合物纤维相结合的新通信概念，它甚至有可能替代铜缆和光纤通信；

2. 讨论应用新技术的有未来应用前景的太赫兹CMOS设计案例。

第二天：

射频和毫米波CMOS功率放大器

1. 回顾功率放大器的基本特征：增益，稳定性，输出功率，效率，失真；

2. 讨论系统层面的相关要点：频谱模板，邻道泄露比（ACLR）和误差矢量幅度（EVM）；

3. 讨论各种CMOS工艺下射频和毫米波功率放大器的种类，拓扑结构（包括发射机）的优劣；

4. 实例讨论：带有AM-PM纠正的AB类设计，E波段Doherty功放设计，异相发射机设计；

5. 讨论实际功放测试的相关问题。